隨著手機等消費類電子的普及，為了保證設備的可靠性，抗腐蝕性和耐磨性變得越來越重要，過去主流的印刷線路板表面處理方法沉浸鎳/金工藝正在被替代。幾年前，諾基亞已經(jīng)使用OSP替代了終端設備焊盤上的沉浸鎳/金，并對焊料連接可靠性產(chǎn)生了積極影響。
　　本文將討論以手機為例研究消費類電子領(lǐng)域線路板廠印刷線路板表面處理的工藝。
　　1. 引言
　　化鎳浸金是過去10年占統(tǒng)治地位的印刷線路板表面處理方法，而且化鎳浸金工藝是目前世界上大部分印刷線路板制造商的標準。由于歷史的原因，化鎳浸金被當作一個防氧化層引入到了PWB制造業(yè)，用于提供良好的可焊性潤濕能力和長時間PWB儲存能力。從這方面來講，ENIG不辱使命；但是從可靠性的觀點來看，應該盡可能限制它在移動電子設備上的使用。
　　最近已經(jīng)證明下面一些特征和現(xiàn)象與在PWB中選擇使用ENIG直接相關(guān)，如：金脆變導致的冷焊料連接，焊料連接界面裂化，腐蝕和接觸盤磨穿。
　　因此，為了確保便攜式消費電子產(chǎn)品的可靠性，必須評估可供熱焊接和機電接觸選擇的表面處理方法。
　　2、各種可供選擇的表面處理方法
　　選擇表面處理的最重要動力有：
　　可靠性；
　　可利用性；
　　成本；
　　基本的技術(shù)要求。
　　在為一種特定的剛性PWB選擇一種表面處理之前，特別要考慮在給定應用場合里表面處理的各種屬性。只是用于熱焊接，還是同時也要用于諸如鍵盤開關(guān)或彈簧連接器之類的機電接觸？
　　迄今為止，還不存在一種通用的表面處理方法，它即能提供很高的焊料連接可靠性，又能提供很高的機電接觸盤可靠性。彈簧承載的連接器普遍用于手機，機電接觸盤就是為之設計的。
　　根據(jù)基本要求的差異，可以把PWB表面處理分成2個主要的群組：
　　2.1. 用于熱焊接的表面處理：
　　一個用于熱焊接的表面處理不得不滿足以下幾個要求：
　　較高的可濕潤性；
　　焊料連接力；
　　適于細間距和CSP組裝的表面平坦度。
　　業(yè)界有許多處理方法可供選擇，其中有：
　　HASL (熱風整平)
　　浸錫；
　　鎳/金(ENIG)；
　　浸銀；
　　OSP(有機表面保護劑)
　　并不是所有表面處理的性能都是一樣的。
　　2.2. 用于機電連接盤的表面處理：
　　一個用于機電連接盤的表面處理不得不滿足以下幾個要求：
　　機械耐久力(磨損抵抗力)
　　抗腐蝕性
　　接觸電阻
　　其中有幾種處理方法：
　　鎳/金(電鍍)；
　　鎳/金(ENIG)；
　　浸銀；
　　碳；
　　焊膏(錫/錫接觸)。
　　2.3. 處理方法總結(jié)
　　當對過去20年廣泛用于便攜式電子設備的各種表面處理進行調(diào)查時，發(fā)現(xiàn)ENIG變得如此流行，而其他處理方法被冷落多年的原因并不合乎邏輯：
　　當然，其中的一個解釋是，直到最近我們依然不知道其失效機理是什么。隨著經(jīng)驗的增加，它們已經(jīng)逐漸浮出水面。
　　另外一個解釋是，不愿意更改PCB的那些傳統(tǒng)的東西，即使在分析實驗室和可靠性專家已經(jīng)提出這些問題之后。
　　最后一個解釋是，在PWB制造方面，表面處理物理可用性的缺乏總會耽擱向其他處理方法的轉(zhuǎn)變。已經(jīng)把資金投到ENIG工藝了，為其他處理方法添置新的設備需要更多的投資。這個事實也造成了一定的耽擱。
　　下面的段落將縱覽已經(jīng)對表面處理技術(shù)的變化產(chǎn)生影響的事件。
　　3、手機PWB表面處理的歷史演變：
　　3.1. HASL + 碳
　　在第一代產(chǎn)品中，從80年代后期起，PWB盤面的正常表面處理是熱風整平(HASL)。在很多場合，HASL與碳被組合起來作為鍵盤和LCD焊盤的表面處理方法。
　　那時候表面貼裝器件技術(shù)還處于早期階段，毆翅型器件擁有間距相對較疏(1.27mm)的引腳。90年代初期，對更多I/O的需求要求使用新的封裝技術(shù)，QFP應運而生。間距降到了0.6mm的時候，由于HASL厚度不均，大量焊料橋連發(fā)生了。新的需求要求替代低產(chǎn)量的HASL。
　　3.2. 化鎳浸金(ENIG)
　　擺脫困境的唯一辦法是找到另外一種平且共面的可焊的表面處理方法。裸銅容易氧化，影響可焊性(濕潤)，不符合要求。
　　OSP在當時不是討論的對象，即使存在那種技術(shù)！
　　ENIG 被推舉為HASL的繼承者。當時的感覺是，找到了一種既適于熱焊接，又適于鍵盤的通用型表面處理方法。
　　碳因此不再被認為是必要的，它在即使不存在技術(shù)和可靠性問題的情況下銷聲匿跡了。
　　在一段時期里，總體來講，ENIG 工藝表現(xiàn)非常優(yōu)秀。但另一方面，由于需要在更小的空間里面容納更多的功能，QFP被球形柵陣列(BGA)和芯片級封裝替代了。BGA封裝(圖3)同時也帶來了一些新的挑戰(zhàn)。伴隨著電子行業(yè)內(nèi)前所未有的大批量生產(chǎn)，出現(xiàn)了更小的焊盤。PWB制造業(yè)以極其高的產(chǎn)量運轉(zhuǎn)，意味著此工藝的任何弱點都變得更加清晰可見和嚴重。
　　3.2.1. 黑盤
　　在所有供應商那里都會隨機發(fā)生一個名叫黑盤的問題，即使他們使用不同牌子的鎳/金工藝。隨便在哪一個盤上缺少金，其影響是潤濕不良或者不潤濕，導致的結(jié)果是失去內(nèi)部互聯(lián)。黑盤缺陷主要在手機組裝線被發(fā)現(xiàn)和拒收；但是最壞的情況是如果某臺產(chǎn)品通過了100%的電氣試驗，后來卻在市場上失去了功能。如果彎曲PWB，可能就像不良焊料連接失去連接一樣產(chǎn)生隨機錯誤。
　　已經(jīng)有很多理論解釋黑盤出現(xiàn)的原因，但到底是什么觸發(fā)了黑盤的出現(xiàn)，至今尚未達成共識。然而，這幾年電鍍槽制造商在這個領(lǐng)域已經(jīng)取得了一些進展，不過ENIG工藝依然不能杜絕這種實效，它有時可能和PWB設計有關(guān)。
　　3.2.2. 焊球界面破裂
　　據(jù)透露，界面降級，是一個新型的與黑盤問題相關(guān)的失效。失效的BGA或CSP的微切片顯示，在Cu焊盤和焊球之間的界面內(nèi)部存在裂縫，即使是已經(jīng)完美濕潤了。
　　原因可能是什么？在經(jīng)過大量調(diào)查之后，發(fā)現(xiàn)是3個問題聯(lián)合作用的結(jié)果：
　　一個被忽略的問題，在鎳和錫之間的易碎的金屬間化合物(IMC)。
　　一個事實，用戶開始比以前更加頻繁的把產(chǎn)品跌落到地面。
　　與以前的封裝類型相比，在剛性的BGA封裝類型內(nèi)部缺乏焊料連接應力消除的途徑
　　IMC問題：
　　鎳-錫IMC形成于焊接過程中。當產(chǎn)品暴露于機械振動中時，會導致焊料連接內(nèi)部的IMC破裂，尤其是BGA類型的器件。這種現(xiàn)象被稱作“金脆變”，而且，自從引入ENIG以來，就已經(jīng)明顯存在這種現(xiàn)象。
　　封裝應力：
　　QFP確實擁有能夠充分消除焊料連接應力的鷗翅形引腳，從而能夠經(jīng)受住一定水平的機械應力。當PWB在手機跌落的過程中形變時，擁有球形焊球的BGA封裝不能提供很多重要的應力消除途徑；因此，輕易的就突破了產(chǎn)生破裂的最低極限。
　　通過對數(shù)千臺實際產(chǎn)品和特殊設計的板子進行受約束的跌落試驗------試驗中使用了加速計、變形測量計和事件探測器，并使用高速照相機組進行視頻錄制------今天我們已經(jīng)對應力和失效機理有了更好的理解。試驗數(shù)據(jù)表明，相對于1-2米跌落中的地球引力，PWB在跌落試驗中的彎曲度是一個更大的問題。由于已經(jīng)創(chuàng)造了一些計算機模型，所以可以在設計階段做一些跌落仿真。
　　用戶特征的變化：
　　80年代晚期，當人們能夠在市場上買到手機的時候，當時的手機非常昂貴，因此用戶都小心翼翼的呵護著他們手中的手機。到了90年代晚期，手機市場額度暴增，導致硬件成本降低。同時，服務提供商有時也以承擔一小部分成本的形式向最終用戶贈送手機，使其成為大眾熟悉的一個媒體，提供商還能從通話中創(chuàng)造交易。對大部分人來講，這已經(jīng)是一件好事了，但是也帶了負面的影響------用戶忘記了一臺移動手機事實上是一個需要慎重對待的非常精密和復雜的電子設備。由于其低成本，手機突然之間被人隨意處理，導致手機暴露于遠高于過去所承受的應力等級。手機從1到1.5米跌落下來，不再是不可能的事情，因此，需要盡快采取行動應對可靠性問題。
　　對BGA進行底部填充以后，延遲了焊點斷裂的問題，但不能從根本原因上解決問題。消除此問題的唯一出路是避免在鎳/金上進行熱焊接。
　　3.3. 選擇性ENIG + OSP
　　為了終結(jié)IMC問題，在2000年引入了選擇性ENIG+OSP，這意味著金僅用于鍵盤和其他機電接場合。選擇性工藝，向已經(jīng)要求苛刻的ENIG工藝提出了額外的復雜度、挑戰(zhàn)和成本。
　　經(jīng)過大量試驗，在2.1節(jié)中提到的其他候選處理方法中，OSP過去被用來滿足可焊性、成本和焊料連接強度方面的要求。起初，PWB制造商們的選擇性ENIG + OSP工藝供應能力并不充分，但是，世界上最大的PWB客戶們在短的驚人的時間內(nèi)便把PWB制造商們振作了起來；在啟動此要求的一年后，所有相關(guān)的PWB的供應商便能夠以足夠高的產(chǎn)量和質(zhì)量控制這個工藝了。從在ENIG上進行熱焊接到在OSP上焊接的轉(zhuǎn)變已經(jīng)有效的降低了BGA器件焊料連接斷裂的不良品數(shù)量。
　　3.4. ENIG屬性改進
　　由于ENIG到現(xiàn)在僅用于機電接觸，所以檢查這種表面是不是最好的以確保足夠的接觸可靠性是重要的。
　　如今的情形看起來是這樣的：
　　1.選擇性鎳/金工藝是復雜和昂貴的。
　　2.鎳/金的質(zhì)量沒有大部分人期望的那樣好。
　　非常薄(40-60納米)的金表面處理帶來了磨損問題------可能導致鎳腐蝕。
　　通常，即使在沒有機械磨損表面的影響下，金表面的多孔性也會帶來鎳腐蝕問題。
　　尤其是最近已經(jīng)證明，當在高濕、鹽霧、空氣污染或者汗液的環(huán)境中操作產(chǎn)品時，傳統(tǒng)的ENIG缺乏充分的耐蝕穩(wěn)定性。
　　作為這種情況的結(jié)果，最近鎳工藝的配方已經(jīng)被調(diào)整了(主要是磷的含量)，這樣一來，鎳表面變得稍微好了些，表面浸金變得不再那么疏松多孔了。
　　最終的結(jié)果是，如果稀薄的金表面未被刮傷或者磨傷的話，改良后的高磷ENIG的耐磨穩(wěn)定性已經(jīng)提高到了更高的水平。雖然耐磨性提供了，浸金工藝仍然不能提供像電鍍金那樣完全的無孔表面。
　　事實已經(jīng)變得越來越清晰，稀薄的ENIG不能夠滿足移動終端對磨損和腐蝕抵抗力的更高要求。因此，考慮使用其它更可靠的東西替代ENIG是一件很重要的事情。
　　4. 理論和實驗電化學的考慮事項
　　4.1. 基礎(chǔ)電化學
　　當把兩個不同的導電材料浸入導電電解液中，短接它們時，在陽極會發(fā)生氧化反應，如腐蝕(就金屬和合金來說，金屬離子分解)；在陰極會發(fā)生的陰極反應有氫釋放，氧還原或者沉積。
　　在陽極可能發(fā)生氧化(分解)反應：Me→Men++ne-，在陰極可能發(fā)生還原反應：Men++ne-→Me。
　　然而，陰極反應的類型依賴于電解液和相關(guān)材料的特性。
　　如果連接的兩個金屬具有截然不同的價位，從熱力學來講，較低價導體將擔當陽極，較高價導體將擔當陰極。從熱力學來講，陽極將腐蝕，雖然實際的分解率(腐蝕)依賴于動力學。這類腐蝕稱作電偶腐蝕。因此，價位差異是電偶腐蝕的唯一必要條件，但不是充分條件。具有最大正電位的金屬是價位最高的金屬。通過應用外部的電位偏差，在相似金屬之間也可以獲得價位差異。由于電子裝置使用的是不同材料的組合，而且某些部件在使用時被潛在的施加了電位偏差，因此在評估系統(tǒng)時以上兩種情況都要考慮。
　　也可以用所謂的Pourbaix圖說明金屬在不同電壓和pH條件下的熱力學性質(zhì)。展示了一幅金在250毫克/升的氯化鈉溶液內(nèi)的Pourbaix圖。此圖圖示了金屬對腐蝕的免疫區(qū)域(作為穩(wěn)定金屬存在)，依靠形成的穩(wěn)定惰性層抵擋腐蝕的保護區(qū)域，和可能腐蝕的腐蝕區(qū)域。是否會發(fā)生嚴重腐蝕，將取決于動力學。
　　區(qū)域Au(OH)3是可以在金表面形成穩(wěn)定的惰性保護層的區(qū)域，而區(qū)域AuCl2 是金可能溶解的區(qū)域，雖然分解率依賴于動力學。
　　4.2. 實驗電化學分析
　　為了直接在微小的手機零部件上完成電化學測量，使用了所謂的微電化學技術(shù)，此技術(shù)能夠有效測量從幾毫米到幾微米范圍的微小區(qū)域面積。
　　此技術(shù)還涉及使用了一個連接到一個系統(tǒng)的吸液管，它用于控制溶液在針頭處的流動。該微電化學裝置由一個容納溶液的電化學頭，計數(shù)器，和連接在一個光學顯微鏡換鏡轉(zhuǎn)盤上的參考電極。電池與一個吸液管連在一起，這樣一來，可以與工作電極的局部區(qū)域相接觸(在此實驗中的手機PWB上的接觸盤是用來研究的)。此技術(shù)的橫向解析度由吸液管針頭的尺寸決定，在此實驗中，吸液管針頭的直徑大約是1毫米左右。實驗中測量了動電位陽極和陰極極化曲線，相對于一個銀/氯化銀參考電極，從開路電壓開始，掃描速率為1毫伏/秒。
　　4.3. 電化化學裝置產(chǎn)生的極化曲線
　　與純金屬比較，展示了按鍵的不同金屬層的極化曲線。從中可以看出，磷化鎳上的浸金層的平衡電勢有一個低于純金電勢的電勢和一個高于純鎳電勢的電勢。這表明磷化鎳上的浸金層的電勢是一個金和磷化鎳的混合電勢，原因是金層沒有完全覆蓋磷化鎳層。所有鎳樣本和銅的陽極電流要比金高出一個數(shù)量級。
　　不出所料，石墨的價位要比磷化鎳上的浸金的價位高的多。此外，覆蓋在銅之上的石墨的陽極電流幾乎比鍍金低一個數(shù)量級。因此，在金和碳之間，碳的陽極活性更低。純金曲線上的噪聲大概歸因于氧化膜，由于多孔性的原因，金在樣品上覆蓋的可能不夠完美。
　　碳涂覆的陰極活性明顯低于浸金和純金。因此，銅或磷化鎳與石墨的電耦合導致的腐蝕相對低于與金的電耦合導致的腐蝕。一般而言，這些結(jié)果說明，與金相比，碳是一個較弱的陽極和陰極；同時意味著在碳上面發(fā)生的電化學反應比金慢，這有益于形成關(guān)于腐蝕的觀點。
　　4.4. 電氣化學結(jié)論
　　一般情況下，在金和相對低價的材料------如鎳和銅------之間的電耦合將引起嚴重的腐蝕風險，因此應該慎重考慮這種危險的結(jié)構(gòu)。
　　當使用鎳磷/銅浸金時，由于實際上無法把金表面處理成無孔的，所以Au和磷化鎳之間危險的電耦合將會一直存在。
　　特殊情況下，即使是諸如金之類的高價材料也能腐蝕。這需要很高的氯化物含量，相對低的pH值(< 5)和大于1.0伏的正電壓。在氯化物濃度可能比較高的場合，也許會產(chǎn)生相關(guān)的問題。
　　當在Cu上使用石墨時，由于石墨的陰陽極反映微弱，所以預計將發(fā)生較少的腐蝕。
　　5、重新考慮對接觸盤的表面處理
　　已經(jīng)研究了下述候選處理方法：
　　鎳/金(電鍍)
　　鎳/金(用于組裝的電鍍P3)
　　碳(網(wǎng)印)
　　5.1在硬質(zhì)PWB上電鍍金
　　由于使用鎳/金(硬金，厚度大于0.8μm)電鍍的PWB表面具有接觸電阻低，優(yōu)良的耐久性和腐蝕性等特點，因此在技術(shù)上它是最具誘惑力的接觸表面。但是在大部分情況下，這種處理工藝都以失敗告終，所以其成本相當高。另一個應用上的障礙是，在使用匯流母線電鍍的過程中，需要短路所有的接觸盤。鍍完之后，必須斷開匯流母線，這樣會產(chǎn)生令電磁兼容和靜電釋放害怕的很長的“死痕”。只有在罕見的場合------所有相關(guān)的接觸盤都分布在PWB的周邊，這種工藝才有意義，因為可以在卸板過程中使用銑的方法有效地輕松移走匯流母線。
　　5.2在P3上電鍍金
　　取放盤(Pick and Place Pads， P3)是一些由銅或鎳-銀制成的小金屬碎片。P3是用結(jié)實的鎳和金電鍍而成的。為了組裝方便，可以輕易的把P3設計成任何需要的形狀，尺寸和厚度，并把它當作一顆電阻或電容進行使用。
　　通過使用P3，在PWB的任何地方放置和回流焊高質(zhì)量金接觸點成為可能。P3之后，只需對PWB進行可焊性表面處理，如OSP或浸銀。
　　如果P3的數(shù)目合理的話，與選擇性ENIG + OSP相比，基于OSP的P3方案的成本更有吸引力。
　　只是對于鍵盤而言，P3方案不可行。因此仍需要別的表面處理方法。碳被認為是鍵盤最顯而易見的選擇。
　　5.3. 在硬質(zhì)PWB上敷碳
　　碳在線路板行業(yè)已經(jīng)廣泛使用過30多年，但是在過去十幾年里已經(jīng)隱退。從70年代和80年代碳被高度賞識和使用以來，到了90年代，幾乎被ENIG競爭出局。持續(xù)至今還在使用碳作為硬質(zhì)主板表面的，只有遠程控制，對講機，和各種類型的電子玩具的鍵盤。除此之外，基于聚酯電線和銀碳聚合物的薄膜接觸開關(guān)仍在廣泛使用碳。
　　碳作為硬質(zhì)PWB的一個選項，只有在高端和移動設備市場被普遍冷落。當考慮到碳提供的這些優(yōu)點時，這是一個反常的現(xiàn)象，
　　比金的價還高
　　簡單而便宜的加工過程
　　對O2， SO2， NOx， Cl-和其他氣體的高耐蝕性
　　液體，如大部門溶劑，咖啡，啤酒，可樂等，對其幾乎沒有影響
　　優(yōu)秀的耐磨性(濃厚且“自潤滑”的表面)
　　與ENIG相比，工藝過程對環(huán)境更友好
　　缺點不多，但是知道它們是很重要的：
　　與純金屬表面相比，接觸電阻很高，典型值為2-6歐姆
　　碳層的放置公差典型值為+/- 150μm
　　由于碳糊生來就是或多或少吸濕的，所以最好僅用于以一定方法固化的品質(zhì)一流的材料。如果使用了不適當?shù)牟牧虾蜔峁袒€，電阻將對濕度非常敏感。
　　5.3.1制造過程
　　以網(wǎng)印的方法，碳在一個附加的過程(圖18)中被施加到PWB表面。這是一個相當簡單的過程，與ENIG相比，涉及非常少的步驟和操作助劑。
　　早期的研究[1]和[2]已經(jīng)證明，采用紅外線對碳進行固化，顯著改進了阻抗穩(wěn)定性，并可喜的降低了表面電阻。如果紅外固化過程使用了最適宜的曲線和自動在線設備，3步加起來的整個過程所花費的時間可以低至15分鐘，所以非常適于大批量生產(chǎn)。
　　5.3.2. 接觸電阻
　　接觸電阻的定義是：機電接觸和PWB內(nèi)的銅之間的電阻。
　　此電阻是如下電阻的總和：
　　1. 彈簧觸點到碳表面的電阻
　　2. 碳層體電阻
　　3. 碳到銅表面的電阻
　　碳技術(shù)成功的一個簡單要求是，一個受控制且穩(wěn)定的接觸電阻等級。當使用正確的材料和工藝的時候，可以不費力氣的獲得<5歐姆的接觸電阻等級。不應該接受>10歐姆的接觸電阻，因為它預示制造過程中有問題。作為代表性的，高接觸電阻暗示在炭網(wǎng)印過程之前沒有充分去氧化銅表面。
　　判斷炭制造過程是否是以最正確的方法進行的一個簡單地方法是把樣板暴露于濕熱試驗。如果在85OC， 85 % R.H.環(huán)境內(nèi)持續(xù)2天后，接觸電阻顯著并持續(xù)增長至超過10歐姆，那就說明這個制造過程已經(jīng)失控了。
　　5.3.3. 碳的表面電阻率
　　為了完善關(guān)于碳的描述，有必要提出是，一些新出現(xiàn)的植入電阻器技術(shù)是基于聚合碳電阻器的。原則上，對于表面處理來講，這些電阻器材料與碳相似。差別主要是，表面電阻被調(diào)節(jié)以適于每個十倍程，舉例說來，如100 歐姆/平方，1千歐姆/平方， 10千歐姆/平方，等等。
　　對于“接觸碳”，表面電阻率應該盡可能低：典型值15歐姆/平方，最大值25歐姆/平方。
　　5.4. 理想的組合
　　下面的這個組合可能是潛在的將來最具成本/可靠性吸引力和靈活的方案：
　　用于焊盤的OSP
　　潛在的用于焊盤的浸銀
　　用于對接觸電阻有要求的場合------關(guān)鍵的機電連接------的焊接連接器或P3
　　用于鍵盤和其他更低電阻要求場合------關(guān)鍵的機電接觸盤------的碳。
　　對于這個組合，其中的一個挑戰(zhàn)是碳技術(shù)在存在于當今便攜式終端中的前提下的資格試驗。
　　下面一節(jié)描述了來自于已經(jīng)完成的試驗的一些結(jié)果。
　　6. 碳的可靠性試驗
　　由于電子行業(yè)在過去十多年普遍冷落碳的應用，所以事實上大部分PWB供應商不得不重新造訪他們過去具有的那些工藝技巧。網(wǎng)印機過去總是不能應付當今對可重復性和精確性的要求，它們要求計算機控制的參數(shù)設置和照相機對準系統(tǒng)。
　　為了評估下述幾個方面，有必要調(diào)查市場并需要許多PWB供應商制造一些特殊設計的用于接觸電阻卡爾文測量的試驗板：
　　是一流的碳處理工藝嗎？
　　碳糊能夠滿足對接觸電阻和表面電阻的濕穩(wěn)定性和低阻值的要求嗎？
　　6.1. 試驗計劃：
　　試驗板和用碳改良過的試驗手機已經(jīng)被暴露于許多環(huán)境和實際的用戶試驗中。這里討論這些試驗的最重要的部分。在大部分案例中，已經(jīng)使用ENIG試驗板作為參考，以便比較兩種表面處理的可靠性。
　　光板試驗：
　　鹽霧試驗(2周)
　　SO2腐蝕性氣體試驗(48小時)
　　磨損和腐蝕的組合手機級別試驗：
　　循環(huán)濕熱試驗25OC~55OC，98% R.H.(IEC 60068-2-30 Variant 1，延長了6天到六周的時間).
　　2，500，000次鍵擊+濕熱的鍵盤壽命試驗(表1)。這是個特殊設計的用于激發(fā)錯誤的“非標”試驗，因此，可以暴露出各種各樣試驗樣本的可靠性等級差異。它模擬了若干年的使用時間。耗時5周完成了此試驗，對于每一個5000次鍵擊，都自動測量了電阻。
　　6.2. 試驗結(jié)果
　　6.2.1. 光板鹽霧試驗
　　2周的鹽霧試驗結(jié)束后，對試驗板進行了視覺檢查。高磷ENIG樣本腐蝕的如此嚴重，以致于不得不放棄了計劃中的鍵功能測試。
　　碳樣本一點也沒有腐蝕，但是表面有鹽污。使用異丙醇去除鹽后，碳表面又煥然一新。經(jīng)過測量，接觸電阻確實仍然低于10歐姆。裝上dome sheet以后，按鍵功能表現(xiàn)正常。
　　6.2.2. 光板SO2腐蝕性氣體試驗
　　ENIG和碳，兩者都通過了測試。必須提出的的是，ENIG是使用改良后的高磷ENIG鍍上去的。標準ENIG 在早先的試驗中已經(jīng)說明，如果暴露在此試驗中，會嚴重腐蝕，這也是執(zhí)行高磷ENIG的原因。
　　6.2.3. 循環(huán)濕熱試驗
　　在暴露于試驗環(huán)境的整個過程中，對彈簧觸點在碳表面的接觸電阻進行了連續(xù)監(jiān)控。彈簧觸點的表面處理是電鍍金。
　　在試驗結(jié)束的時候，接觸電阻等級確實低于10歐姆，阻值偏移值也是完全可以接受的。
　　6.2.4. 磨損和腐蝕組合試驗
　　此試驗是按照手機的級別在大量手機UI板上完成的，包括完整的鍵盤(21鍵)和用于2個彈簧負載的板對板連接器的接觸點(24個)。彈簧連接器采用了電鍍金表面處理。試驗中組合了不同的碳制造工藝的設置和大量不同的碳糊。
　　試驗顯示，為了通過諾基亞的要求，有些供應商需要更多的從實踐中總結(jié)經(jīng)驗并組織更好的碳工藝設置，而一流的供應商在滿足我們的要求和制造能夠通過這個嚴格試驗的采用碳工藝的PWB方面沒有問題。
　　如果碳制造工藝失控了，接觸電阻在濕熱試驗中會猛烈的增長，如果制造方法得當，電阻是非常穩(wěn)定的。
　　在ENIG的試驗中，在步驟#3，濕熱暴露試驗之后大約200，000次鍵擊，電阻開始不規(guī)則的輕微增長。400，000次鍵擊之后，第一次出現(xiàn)了鍵功能障礙。在步驟5(第二次濕熱暴露試驗之后不久)，鍵功能變得非常不穩(wěn)定。在對樣本做了視覺檢查之后，其根本原因變得非常清晰。
　　在碳的試驗中，電阻從13歐姆增長到大約80歐姆的水平。這個變化是完全可以接受的，而且遠遠低于最大200歐姆的要求。在整個2，500，000次鍵擊中，沒有發(fā)現(xiàn)一個按鍵故障。
　　從對試驗樣本的視覺檢查中獲得了令人驚訝的體驗：整個碳表面看起來完整無損，沒有任何磨損或腐蝕的跡象。只有依靠特殊的照明裝置，才可能發(fā)現(xiàn)在有些地方碳曾經(jīng)與dome接觸過。
　　6.2.5. 生命周期的極端試驗
　　在優(yōu)秀的試驗結(jié)果的鼓勵下，在其中的36個樣本上再次進行了磨損和腐蝕試驗，所以總的沖擊是5，000，000次鍵擊和4次濕熱試驗周期。電阻仍然處于100歐姆一下，整個碳表面依然看起來完整無損，也沒有任何磨損或腐蝕的跡象。
　　6.2.6.腐蝕和生命周期的極端試驗
　　對于6.2.4中描述的采用碳+OSP的UI板，在18個樣本上執(zhí)行了下述組合試驗：
　　1. 把ＰＷＢ在鹽霧中暴露１周
　　2. 使用異丙醇去除鹽污
　　3. 暴露于無鉛回流焊曲線中
　　4. 裝配dome-sheet和手機結(jié)構(gòu)件
　　5. 暴露于2，500，000次鍵擊的磨損和腐蝕組合試驗中
　　所有樣本在裝配之后都能理想的工作，并通過了步驟1，2 和3 (1，000，000次鍵擊和一次濕熱周期)。
　　在第二次暴露于濕熱試驗后，其中的18個樣本在步驟#4之后立即出現(xiàn)了少數(shù)不規(guī)則的按鍵功能故障。在步驟5中不久，這些有故障的樣本中的2個樣本又重新可以正常工作了。
　　試驗最后的結(jié)果是：
　　18個樣本中，17個具有正常的按鍵功能。
　　7. 結(jié)論
　　特別的，對于移動電子設備，由于不存在一種既能提供很高的焊料連接可靠性又能提高供很高的機電接觸點可靠性的表面處理方法，所以需要比現(xiàn)在更進一步重視選擇一個正確的表面處理方法。
　　7.1. 用于熱焊接的表面處理：
　　通常不推薦在ENIG上進行熱焊接，并且應該禁止用于BGA類型的器件。來自制造業(yè)和大量手機的野外反饋的證據(jù)證明，使用OSP替代PWB焊盤上的ENIG后，明顯降低了由于BGA器件焊料連接界面斷裂導致的故障。
　　最初在使用錫/鉛焊料的時候引入了OSP，但是現(xiàn)在已經(jīng)能夠滿足對優(yōu)秀無鉛焊料焊料連接的要求了。此外，仍然可能考慮在以后把浸銀作為OSP的增補處理方法。
　　7.2. 用于接觸盤的表面處理：
　　電鍍金(厚度超過0.8微米)是一個可靠的選擇，但是設計(匯流母線)和工藝無法總能兼容，而且在PWB行業(yè)，它的可利用性幾乎就是海市蜃樓一般。不幸的是，其工藝成本很高，超出了高產(chǎn)量低成本產(chǎn)品的要求范圍。
　　在柔性PWB行業(yè)，電鍍金或多或少是一個標準工藝，但是這些柔性線路板無論如何都很昂貴，大多用于高端產(chǎn)品。
　　對于PWB上接觸點較少，又要求接觸點的接觸電阻很低(小于100毫歐姆)和可靠性很高的場合，相對于鍍金，厚金電鍍的取放盤是一個較便宜和頗具吸引力的選擇。這種情況下，PWB只需要OSP即可。
　　碳比金的價更高，所以它提供了比ENIG------位于那些可以接受高達10歐姆電阻的地方，如鍵盤，ESD保護區(qū)和大部分彈簧接觸盤等之上------更出眾的可靠性。碳是當今最便宜和可以利用的接觸表面處理方法，它具有非常高的抗腐蝕性和優(yōu)秀的抗磨損性。